(帶Load_Lock裝置)全自動型感應耦合等離子體刻蝕機(ICP)

詳細描述

本產品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工。

本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本產品通過對真空系統、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制,使工藝的重復性、穩定性、可靠性得到有效保證,并能精確地控制圖形的剖面,從而獲得好的刻蝕效果。

本設備的數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發和生產平臺。 

本設備所增加的進樣室和機械手自動取送片裝置使設備的自動化程度更高,并能使刻蝕室的真空與工作環境得以改善,體刻蝕效果更佳。 

本產品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監控、在線狀態記憶、斷點保護等設計,結合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。 

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領域的器件研發和制造。

 

產品主要性能指標


型號

ICP-5100

真空系統

進樣室:機械泵系統;刻蝕室:分子泵機組

刻蝕室數量

單室

刻蝕室規格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、W、Mo、GaN、GaAs等

刻蝕速率

~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

自動化程度

真空系統、機械手送/取樣片、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

人機界面

Windows環境、觸摸屏操作

操作方式

全自動方式、非全自動方式

自動化裝置的選配

可選擇進口件或國產件

 

本產品是在“全自動ICP”的基礎上增加了進樣室、真空鎖和機械手自動取送樣片裝置而成的高端設備。
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