標準型離子束刻蝕機(IBE)

詳細描述

本產品采用口徑φ150mm考夫曼型離子源,通過獨特結構的雙鉬柵離子光學系統及SHAG技術保證在φ100mm范圍內束流的均勻性為±5%,電子中和系統可使樣片上的電荷積累為零。

本設備的刻蝕工作臺可繞工作中心自轉,離子束入射角可在0~90°之間任意調整。

本設備具有刻蝕速率穩定、均勻性好、重復性好等特點,可廣泛應用于微電子、光電子、通訊等領域的器件研發和制造。


產品主要性能指標


型號

IBE-150B

真空系統

分子泵機組

刻蝕室數量

單刻蝕室

刻蝕室規格

?430×350×430mm

工作臺尺寸

?150mm(最大片徑≤4英寸)

離子束入射角

0~90°之間任意調整

刻蝕速率

100?~2000?/min(與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

Ar+離子能量范圍

100~1000eV,連續可調

離子束流密度

0~1mA/cm2,連續可調

有效離子束直徑

≥?100mm(屏柵極直徑?150mm)

電子中和

帶有熱絲結構的電子中和裝置

 

本產品是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進行轟擊,表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出,從而達到選擇刻蝕的目的,它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率最高,陡真性最好的方法,它可以對所有材料進行刻蝕,例如:金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。
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