標準型等離子體化學氣相淀積臺(PECVD-1D)

詳細描述

本設備通過對工藝的有效控制,可獲得較好的均勻性、粘附性以及較好的重復性,并廣泛應用于相關領域的器件研發和制造。


產品主要性能指標

                

型號

PECVD-1D

真空系統

分子泵機組

淀積室數量

單室

淀積室規格

?400×150mm

樣片臺尺寸

?290mm(熱均勻區?220mm)

加熱溫度

≤ 300℃

淀積材料

SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等

淀積速率

200 ~300 ?/min (與淀積材料和工藝有關)

淀積不均勻性

≤ ±5%

操作方式

手動


本設備可用來淀積SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等多種薄膜材料,這些薄膜材料在微電子、微機械、光電子、通訊等領域有著廣泛的應用;在能源材料、機械材料、各種無機材料及高分子材料的薄膜制備和表面改性中,也顯示出獨特的功能和巨大的潛力。
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