“刻蝕—濺射”組合機

產品主要性能指標

           

型號

JR-2B

真空系統

分子泵機組

刻蝕室規格

?300×100mm

刻蝕電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

濺射室規格

?450×360mm

濺射靶規格

?80mm

濺射靶數量

1-4可選

濺射材料

AI、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各種介質膜、金屬膜、合金膜等。

濺射樣片臺加熱溫度

600℃

刻蝕不均勻性

≤±4%


“刻蝕–濺射”組合機(JR-2B)、“刻蝕–淀積”組合機(CVE-2B)、“刻蝕–淀積”組合機(ICV-500)和“濺射–淀積”組合機(JCV-2B)都是根據用戶要求需設計的,就其功能和性能指標而言與濺射臺、淀積臺、刻蝕機都是相同的,其主要特點是省去了一套電源系統和真空獲得系統,從而以相對優惠的價格滿足不同用戶的要求.

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