RIE-3反應離子刻蝕機

詳細描述

本設備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復性好、性價比較高等特點。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造。


產品主要性能指標

型號

RIE-3

真空系統

分子泵機組

刻蝕室數量

單室

刻蝕室規格

?300×100mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

操作方式

手動




本產品通過物理與化學相結合的方法,對很細的線條(亞微米以下)進行刻蝕以形成精細的圖形。


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